Общие характеристики

Тип памяти

DDR3

Форм-фактор

DIMM 240-контактный

Тактовая частота

1600 МГц

Пропускная способность

12800 Мб/с

Объем

1 модуль 4 Гб

Поддержка ECC

нет

Буферизованная (Registered)

нет

Низкопрофильная (Low Profile)

нет

Тайминги

CAS Latency (CL)

11

RAS to CAS Delay (tRCD)

11

Row Precharge Delay (tRP)

11

Дополнительно

Количество чипов каждого модуля

8, односторонняя упаковка

Напряжение питания

1.5 В

Количество ранков

1