Общие характеристики

Тип памяти

DDR2

Форм-фактор

SODIMM 200-контактный

Тактовая частота

667 МГц

Пропускная способность

5300 Мб/с

Объем

1 модуль 1 Гб

Поддержка ECC

нет

Буферизованная (Registered)

нет

Низкопрофильная (Low Profile)

нет

Тайминги

CAS Latency (CL)

5

RAS to CAS Delay (tRCD)

5

Row Precharge Delay (tRP)

5

Дополнительно

Количество чипов каждого модуля

16, двусторонняя упаковка

Напряжение питания

1.8 В

Количество ранков

2