Общие характеристики

Тип памяти

DDR3

Форм-фактор

DIMM 240-контактный

Тактовая частота

1600 МГц

Пропускная способность

12800 МБ/с

Объем

2 модуля по 8 ГБ

Поддержка ECC

нет

Буферизованная (Registered)

нет

Низкопрофильная (Low Profile)

нет

Тайминги

CAS Latency (CL)

10

RAS to CAS Delay (tRCD)

10

Row Precharge Delay (tRP)

10

Activate to Precharge Delay (tRAS)

30

Дополнительно

Напряжение питания

1.5 В

Радиатор

есть