Подробное описание:
Общие характеристики
Тип памяти DDR3
Форм-фактор DIMM 240-контактный
Тактовая частота 1600 МГц
Пропускная способность 12800 Мб/с
Объем одного модуля 4 Гб
Поддержка ECC нет
Буферизованная (Registered) нет
Низкопрофильная (Low Profile) нет
Тайминги
CAS Latency (CL) 9
RAS to CAS Delay (tRCD) 9
Row Precharge Delay (tRP) 9
Activate to Precharge Delay (tRAS) 27
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля 16, двусторонняя упаковка
Напряжение питания 1.65 В
Радиатор есть
Количество ранков 2 |
