Общие характеристики

Тип памяти

DDR3 

Форм-фактор

DIMM 240-контактный 

Тактовая частота

1333 МГц 

Пропускная способность

10600 Мб/с 

Объем

1 модуль 8 Гб 

Поддержка ECC

нет 

Буферизованная (Registered)

нет 

Низкопрофильная (Low Profile)

нет 

Тайминги

CAS Latency (CL)

9 

RAS to CAS Delay (tRCD)

9 

Row Precharge Delay (tRP)

9 

Дополнительно

Количество чипов каждого модуля

16, двусторонняя упаковка 

Напряжение питания

1.5 В