Подробное описание:
Тип памяти
DDR3
Форм-фактор
DIMM 240-контактный
Тактовая частота
2400 МГц
Пропускная способность
19200 МБ/с
Объем
1 модуль 4 ГБ
Поддержка ECC
нет
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Тайминги
CAS Latency (CL)
11
RAS to CAS Delay (tRCD)
13
Row Precharge Delay (tRP)
14
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля
8, односторонняя упаковка
Напряжение питания
1.65 В
Радиатор
есть
Количество ранков
1 |