Общие характеристики

Тип памяти

DDR3

Форм-фактор

DIMM 240-контактный

Тактовая частота

1066 МГц

Пропускная способность

8500 Мб/с

Объем

1 Гб

Поддержка ECC

нет

Буферизованная (Registered)

нет

Низкопрофильная (Low Profile)

нет

Тайминги

CAS Latency (CL)

7

RAS to CAS Delay (tRCD)

7

Row Precharge Delay (tRP)

7

Activate to Precharge Delay (tRAS)

20

Дополнительно

Количество чипов каждого модуля

16, двусторонняя упаковка

Напряжение питания

1.5 В

Радиатор

есть