Общие характеристики

Тип памяти

DDR3

Форм-фактор

DIMM 240-контактный

Тактовая частота

1600 МГц

Пропускная способность

12800 Мб/с

Объем

2 модуля по 4 Гб

Поддержка ECC

нет

Буферизованная (Registered)

нет

Низкопрофильная (Low Profile)

нет

Тайминги

CAS Latency (CL)

9

RAS to CAS Delay (tRCD)

9

Row Precharge Delay (tRP)

9

Activate to Precharge Delay (tRAS)

27

Дополнительно

Количество чипов каждого модуля

16, двусторонняя упаковка

Напряжение питания

1.65 В

Радиатор

есть