Подробное описание:
Характеристики
Частота ядра 275 МГц
Количество транзисторов 29 млн
Технологический процесс 150 нм
Скорость текстурирования 1.100
ROPs 2
TMUs 4
Интерфейс AGP 8x
Толщина 1 слот
Дополнительные разъемы питания нет
Тип памяти DDR
Максимальный объём памяти
Ширина шины памяти 32 бит
Частота памяти 250 МГц из 20000
Пропускная способность памяти 2.000 Гб/с |